【UMPC】ゲーミングUMPC総合 24 (984レス)
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285: 08/29(金)17:53 ID:MgxuY34d(1/2) AAS
ゲハでやれ
292: 08/29(金)19:16 ID:MgxuY34d(2/2) AAS
実際の半導体業界では「1nm」といっても本当に配線幅が原子10個という意味ではなく、**マーケティング的な「世代の呼称」**になっています。
現在(2025年)のロードマップでは:
シリコン限界 → GAAFET(ナノシート構造)
銅配線の限界 → コバルトやルテニウムなど新素材
さらに先 → 2D材料(グラフェン、MoS₂)、カーボンナノチューブ
つまり、将来は「シリコン上に原子10個の線を刻む」んじゃなくて、材料や構造を変えて“実質的に1nm級の性能”を実現する方向なんです。
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