【GCAP】F-Xを語るスレ331【日英伊共同開発】 (233ﾚｽ)
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172(1): 08/09(土)16:17 ID:TjUCVpnW(4/4) AAS
そもそもパワー半導体はGaNが一番優れる訳じゃないからな
Ga2O3はバリガ性能指数がGaNの4倍、加えてGaNより量産化し易いってメリットもある
外部ﾘﾝｸ[html]:eetimes.itmedia.co.jp
研究開発段階ではあるが、FLOSFIAがGa2O3でノーマリーオフ特性を持った
パワー半導体を作る事に世界で初めて成功したな
2026年度以降に本格量産開始を計画しているらしい
>なお今回の研究成果は、防衛装備庁「安全保障技術研究推進制度」の支援を受けて得られたものとしている。
防衛装備庁が支援してるのが興味深い
これを使ったレーダーが開発されるのも時間の問題だろうな
186(1): 08/09(土)23:01 ID:eX44Hf0n(1) AAS
>>172
一番はInAlGaN(テキトー)だったような
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