[過去ﾛｸﾞ] 【半導体】産総研、次世代不揮発性メモリMRAMの3次元積層プロセス技術を開発 [無断転載禁止]©2ch.net (44ﾚｽ)
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1: ののの ★ 2017/05/19(金)17:52 ID:CAP_USER(1) AAS
周藤瞳美 [2017/05/19]
産業技術総合研究所(産総研)などは5月16日、次世代の不揮発性メモリであるとされる磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の3次元積層プロセス技術を開発したと発表した。
同成果は、産総研スピントロニクス研究センター金属スピントロニクスチーム 薬師寺 啓研究チーム長、集積マイクロシステム研究センター
高木秀樹総括研究主幹、ウエハレベル実装研究チーム 倉島優一主任研究員、ナノエレクトロニクス研究部門3D集積システムグループ 菊地克弥研究グループ長、
渡辺直也主任研究員らの研究グループによるもので、5月15日付けの国際科学誌「Applied Physics Express」に掲載された。
MRAMは、垂直磁化TMR素子をベースとする記録ビットと、ビット選択に用いる半導体トランジスタ(CMOS)、多結晶銅などの金属配線からなり、
通常、垂直磁化TMR素子薄膜(TMR薄膜)は、逐次積層といってCMOS形成後に金属配線上に直接形成される。MRAMの大容量化には、
原子レベルの不均一性や凹凸によるTMR薄膜のバラツキ抑制、材料の選択が重要となるが、多結晶銅配線上へのTMR薄膜形成ではバラツキ抑制や材料の選択肢には限界があった。
今回、同研究グループは、CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを別体形成した後に圧着して接合する、3次元積層プロセス技術によるTMR素子の作製に成功した。
なお、今回の研究ではCMOS形成ウェハを銅電極形成ウェハで代用している。
省9
25(1): 2017/05/19(金)18:58 ID:Q7JvoPP2(1/2) AAS
MRAMメモリ搭載の商品なんてだいぶ前からあんのに
未だに主役張れないあたり
コスパ悪いし色々問題ばっかなんだろうなって。
26: 2017/05/19(金)19:02 ID:TEgiPWgR(1) AAS
さん孔テープ、磁気テープ式記憶装置、3.5〜8インチフロッピーディスク、MOディスクが無くなったな
全部扱ってきたけど、今はUSBメモリでデータ運搬やっているが小さいのが難だ、いつ無くすかわからん。
USBメモリ用のグッズを作ったら売れると思う。
27: 2017/05/19(金)19:08 ID:B4DDFPCE(2/2) AAS
Mram進んでたのはシャープだったのに
28: 2017/05/19(金)19:11 ID:6Gegx1WW(1) AAS
三次元積層プロセスっていうから、縦方向に集積させるのかと思ったら、単に記憶素子と制御素子を別々に作って後で貼り合わせるだけなのね。>>12も言ってるけど、パターンはどう合わせてるんだろう？
29: 2017/05/19(金)19:20 ID:RyzxbuLF(2/3) AAS
>>25
フラッシュメモリも、当初は旧日立(ルネサス)のワンチップマイコンZTATの
内蔵PROMとして採用されたり、従来の紫外線消去型PROMの置き換えが主流で、
当時の微細加工技術の限界もあって容量も512kバイトとかだった。
それから30年くらい経つ。MRAMは、フラッシュメモリと違ってDRAMと同様に
バイト単位で読み書きできるだけでなく、電源を切っても消えないので、
DRAMに替えてメインメモリに使えばサスペンドが不要になる。
30: 2017/05/19(金)19:21 ID:HncbMfPF(1) AAS
ＪＡＸＡと同じことを行えば、民間企業になって貰うよ
31(1): 2017/05/19(金)19:24 ID:ftXoyMWZ(1/2) AAS
>>14
ポストDRAMの候補なんじゃないの？
不揮発性なのでデータの消えないメインメモリが用途なのでは？
DRAMの終焉――消えないメモリがもたらす大変化
http://diamond.jp/articles/-/35682?page=2
32: 2017/05/19(金)19:24 ID:kq7ESutX(1) AAS
, -―-､、
/:::::::::::::∧＿∧
l:::::::::::::<丶｀∀´> 研究は任せるニダ
ヽ､:::::::::フづとﾉ
`〜人 Y
し'（＿）
33(1): 2017/05/19(金)19:25 ID:ftXoyMWZ(2/2) AAS
MRAMやReRAMは情報を電荷ではなく、抵抗値を変化させることで保持します。
このため半導体回路を微細化しても、DRAMのように電荷量不足の問題は起きません。
10ナノメートル以下のプロセスの微細化にも対応できるといわれています。
MRAMやReRAMは記憶回路は比較的単純なのでDRAM並に大容量化もできるとされ、
読み書き性能もそこそこ高速なので、
今後、DRAM代替となる次世代メモリとして期待されています。
34: 2017/05/19(金)19:30 ID:To7ShEZw(1) AAS
ふむふむ
わかんなーい
35(1): 2017/05/19(金)19:39 ID:RyzxbuLF(3/3) AAS
東芝の元エンジニアが、フラッシュメモリの発明者だと流布しているが、
実はサンディスクの元CEO兼創業者が1970年代に発明した基本特許が先で、
単にフラッシュメモリと言う名前を付けただけというのが真実らしい。
時系列で考えて、発明したと称する時期と、市場に初期の製品が出回って
いた時期で辻褄が合わないので、おかしいと思っていた。
36: 2017/05/19(金)19:43 ID:Q7JvoPP2(2/2) AAS
>>33
そこそこってのがもう、半端っぷりが酷いｗｗｗ
取って付けた感のあるブツより
もっと別進化の商品を期待するのはやむおえない。
37: 2017/05/19(金)19:56 ID:fAmWgoqJ(1) AAS
>>35
舛岡富士雄
東芝に入社後、高性能なメモリを開発したが売れないことに業を煮やした舛岡は、営業職を志願し、アメリカ合衆国のコンピュータ会社を回った。
結局全然売る事ができず、1年もたたずに営業職からは外される。しかし、この時に何度も営業先に言われた「性能は最低限でいい。もっと安い製品はないのか」という言葉から、
性能の向上ばかり考えず、需要に見合った機能を持つ製品を低コストで作るべきだと悟る。結果、情報を1ビットごとではなく一括消去するという、
あえて性能を落としてコストを1⁄4以下にする方法を思いつき、フラッシュメモリが発明されるに至った。
その後、東芝は舛岡を地位こそ研究所長に次ぐ高い地位だが、反面、研究費も部下も付かない技監（舛岡曰く窓際族）に昇進させようとした。
研究を続けたかった舛岡は、何とか研究を続けられるよう懇願したが受け入れられず、1994年に東芝を退社した
。1992年に東芝は当時は未熟だった市場拡大を目的としてNAND型フラッシュメモリの技術をサムスン電子に供与したが、
サムスンは巨額投資を重ねることで東芝を追い抜いて世界のフラッシュメモリのシェアで首位に立っている。
省4
38: 2017/05/19(金)20:06 ID:BXNpnPuR(1) AAS
ええ話や
39: 2017/05/19(金)20:28 ID:or/8zWvi(1) AAS
せっかく新技術を開発しても工場に投資する金がないジャップであった…
40: 2017/05/19(金)20:51 ID:WPH+goyo(1) AAS
こいつらいつもなんか開発してんなw
41: 2017/05/19(金)21:01 ID:8oGUidCc(1/2) AAS
>>17
社長は技術畑出身かそれに強い人じゃなかったか
と言うかお前みたいな盆暗高校を中退ようなのがブンケーだリケーだと
言っても意味は無いと思う。シナチョン無職無免の煽りなら分かるが。
42: 2017/05/19(金)21:08 ID:8oGUidCc(2/2) AAS
まあ最近大手メーカーがシャープ始め相次いで身売りになったり傾いたり
しているので、企業も開発技術や製品を安易に国外企業に渡すような
事はもう減るのでは。油断や散漫から潰れた企業の失敗に学ぶ知恵は
既存社員社長もある事だろう。退職金持って逃げた爺には少し返上して
貰いたいような人もいる。どうせシナチョンの金女で会社や企業技術を
ホイホイ売ったんでしょ。これからはもうそう言うの無しにしようよ。
どうせ大した事ないんだから、特亜売女とか。中堅社員も簡単に金で引き抜かれ
利用されて途中でゴミ箱ポイで海外でも帰国日本でも職なし後ろ指・・なんて
事も起きないよう賢くなってくれ。
43: 2017/05/20(土)03:33 ID:MFUegsXn(1) AAS
>>31
FLASHとDRAMの中間の位置づけだね
コンピュータのアーキテクチャを
変える可能性がある
44: 2017/05/20(土)09:40 ID:pZxlNBCn(1) AAS
インテル、ついに不揮発性のメインメモリ「Intel persistent memory」発表、実稼働デモ公開。2018年に新型Xeon「Cascade Lake」とともに登場予定
http://www.publickey...eoncascade_lake.html
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