[過去ﾛｸﾞ] 【半導体】産総研、次世代不揮発性メモリMRAMの3次元積層プロセス技術を開発 [無断転載禁止]©2ch.net (44ﾚｽ)
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24: 2017/05/19(金)18:57 ID:RyzxbuLF(1/3) AAS
>>12
あくまで実証レベルだろ。ミクロン単位オーダーで採算度外視で時間をかけて
いいなら可能かもしれんが、製品レベルでは実用にはならんだろうな。
29: 2017/05/19(金)19:20 ID:RyzxbuLF(2/3) AAS
>>25
フラッシュメモリも、当初は旧日立(ルネサス)のワンチップマイコンZTATの
内蔵PROMとして採用されたり、従来の紫外線消去型PROMの置き換えが主流で、
当時の微細加工技術の限界もあって容量も512kバイトとかだった。
それから30年くらい経つ。MRAMは、フラッシュメモリと違ってDRAMと同様に
バイト単位で読み書きできるだけでなく、電源を切っても消えないので、
DRAMに替えてメインメモリに使えばサスペンドが不要になる。
35(1): 2017/05/19(金)19:39 ID:RyzxbuLF(3/3) AAS
東芝の元エンジニアが、フラッシュメモリの発明者だと流布しているが、
実はサンディスクの元CEO兼創業者が1970年代に発明した基本特許が先で、
単にフラッシュメモリと言う名前を付けただけというのが真実らしい。
時系列で考えて、発明したと称する時期と、市場に初期の製品が出回って
いた時期で辻褄が合わないので、おかしいと思っていた。
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