[過去ﾛｸﾞ] 【半導体】産総研、次世代不揮発性メモリMRAMの3次元積層プロセス技術を開発 [無断転載禁止]©2ch.net (44ﾚｽ)
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35(1): 2017/05/19(金)19:39 ID:RyzxbuLF(3/3) AAS
東芝の元エンジニアが、フラッシュメモリの発明者だと流布しているが、
実はサンディスクの元CEO兼創業者が1970年代に発明した基本特許が先で、
単にフラッシュメモリと言う名前を付けただけというのが真実らしい。
時系列で考えて、発明したと称する時期と、市場に初期の製品が出回って
いた時期で辻褄が合わないので、おかしいと思っていた。
37: 2017/05/19(金)19:56 ID:fAmWgoqJ(1) AAS
>>35
舛岡富士雄
東芝に入社後、高性能なメモリを開発したが売れないことに業を煮やした舛岡は、営業職を志願し、アメリカ合衆国のコンピュータ会社を回った。
結局全然売る事ができず、1年もたたずに営業職からは外される。しかし、この時に何度も営業先に言われた「性能は最低限でいい。もっと安い製品はないのか」という言葉から、
性能の向上ばかり考えず、需要に見合った機能を持つ製品を低コストで作るべきだと悟る。結果、情報を1ビットごとではなく一括消去するという、
あえて性能を落としてコストを1⁄4以下にする方法を思いつき、フラッシュメモリが発明されるに至った。
その後、東芝は舛岡を地位こそ研究所長に次ぐ高い地位だが、反面、研究費も部下も付かない技監（舛岡曰く窓際族）に昇進させようとした。
研究を続けたかった舛岡は、何とか研究を続けられるよう懇願したが受け入れられず、1994年に東芝を退社した
。1992年に東芝は当時は未熟だった市場拡大を目的としてNAND型フラッシュメモリの技術をサムスン電子に供与したが、
サムスンは巨額投資を重ねることで東芝を追い抜いて世界のフラッシュメモリのシェアで首位に立っている。
省4
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