【半導体】産総研、次世代不揮発性メモリMRAMの3次元積層プロセス技術を開発 [無断転載禁止]©2ch.net

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12(2): 2017/05/19(金)18:16 ID:4rf1qFUU(1) AAS
＞CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを
＞別体形成した後に圧着して接合する

なんつー強引なwww
ちゃんとパターン合わせられるんかｗ

24: 2017/05/19(金)18:57 ID:RyzxbuLF(1/3) AAS
>>12
あくまで実証レベルだろ。ミクロン単位オーダーで採算度外視で時間をかけて
いいなら可能かもしれんが、製品レベルでは実用にはならんだろうな。

28: 2017/05/19(金)19:11 ID:6Gegx1WW(1) AAS
三次元積層プロセスっていうから、縦方向に集積させるのかと思ったら、単に記憶素子と制御素子を別々に作って後で貼り合わせるだけなのね。>>12も言ってるけど、パターンはどう合わせてるんだろう？