カーボンナノチューブ (784ﾚｽ)
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143: 2014/11/14(金)13:22 AAS
2013年09月25日
DRAMに代わるカーボンナノチューブベースの不揮発性メモリ、開発加速へ
カーボンナノチューブ（CNT）を利用する不揮発性メモリ「NRAM」の開発を手掛ける米国のNanteroが、投資ラウンドで500万米ドルの追加資金を獲得した。
DRAMに代わるメモリとしてNRAMの開発を進める同社への注目は、高まっているという。
http://eetimes.jp/ee/articles/1309/25/news058.html
Nanteroは、CNTベースの不揮発性メモリ「NRAM」の開発を進めている。エンジニアリングサンプルを複数のメーカーに提供しているという。
同社によれば、NRAMは、DRAMよりも読み書きの速度が速く高密度な上に、DRAMやフラッシュメモリよりも低消費電力だという。Nanteroは、「DRAMに代わるメモリとして、NRAMを普及させたい」と述べている。
http://image.itmedia.co.jp/ee/articles/1309/25/mm130925_cnt1.jpg
NanteroのCNT可変抵抗メモリの断面構造。直径5nmまで縮小可能とされる。
2012年11月08日
カーボンナノチューブ素子のICチップ、 “せっけん”と“トレンチ”で実用へ前進
IBMの研究チームは、現行の標準的な半導体プロセスを使って、カーボンナノチューブを用いたトランジスタ素子を1枚のチップ上に1万個以上作り込むことに成功したと発表した。
こうした成果は世界初であり、シリコンの次を担う半導体材料として期待されるカーボンナノチューブ・ベースの集積回路（IC）の商用化を大きく進展させると主張している。
http://eetimes.jp/ee/articles/1211/08/news043.html
商用チップとして実用化するには、10億個以上のナノチューブ・トランジスタを作り込む必要があるとIBMは述べている。
「カーボンナノチューブ・トランジスタは、物理寸法がナノスケールという非常に小さい領域において、他の材料を用いたトランジスタをしのぐ特性が得られる。ただし解決すべき課題もある。
カーボンナノチューブを極めて高い純度で精製したり、ナノスケールで高い精度で配置したりといった課題である。当社はこれらの課題の解決に向けて、大きな進展を遂げている」
イオン交換体を用いる手法を開発した。この手法を使えば、カーボンナノチューブを基板上に高密度で、向きを正確に制御しながら配置できると説明する。
具体的には、ナノチューブ1つ1つの配置を制御し、1cm2当たり約10億個の密度を達成したという。
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