[過去ﾛｸﾞ] 【技術/半導体】東工大など、光通信デバイスに透磁率の概念を導入©2ch.net (15ﾚｽ)
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1(1): Mogtan ★ ©2ch.net [sageteoff] 2015/03/26(木)00:54 ID:??? AAS
掲載日：2015年3月25日
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東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センターの雨宮智宏助教と荒井滋久教授、理化学研究所の
田中拓男准主任研究員、岡山大学自然科学研究科の石川篤助教らの共同研究グループは、InP系光通信
プラットフォームに"透磁率"の概念を導入することに成功したと発表した。
具体的には、InP系マッハツェンダー光変調器をベースとして、デバイス内部に特殊なメタマテリアルを
実装。電圧印加に伴う透磁率の変化を利用して、透過光の強度を変調することに成功し、デバイスの小型化が
可能であることを示した。
キーとなる主な成果はトライゲート(Tri-gate)メタマテリアルとメタマテリアル集積型マッハツェンダー変調器の
2つ。ナノスケールの金属構造で構成されたメタマテリアルに3次元トランジスタの技術を組み合わせることで、
省29
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