スピン半導体進展…反強磁性体で高い記憶性能、東北大などが世界初の実証 [すらいむ★] (8レス)
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1 すらいむ ★ 2025/09/04(木) 22:09:59.85 ID:+evy/5JK(1)
スピン半導体進展…反強磁性体で高い記憶性能、東北大などが世界初の実証
東北大学と物質・材料研究機構、日本原子力研究開発機構の共同チームは、反強磁性体を使い、強磁性体で構成する「スピン半導体」の限界を超える記憶動作性能を持たせられることを確認した。
マンガンとスズの合金をナノメートル(ナノは10億分の1)寸法に微細化し、反強磁性体に特有の現象「電流印加によるスピン構造のコヒーレント回転」を自在に高速制御できることを明らかにした。
スピン半導体の機能向上につながる。
(以下略、続きはソースでご確認ください)
ニュースイッチ 2025年09月01日
https://newswitch.jp/p/46815
2 2025/09/05(金) 18:27:13.93 ID:PKiRTWBp(1)
(゚∀。)ナルヘソ
3 2025/09/06(土) 19:51:09.84 ID:6Vqec29s(1)
磁石を近づけたら誤動作しそうだな。
4 2025/09/07(日) 09:34:52.39 ID:1drXlUUA(1)
実証したのか
相変わらず凄い
5 2025/09/07(日) 21:04:24.00 ID:QGLsGB2C(1)
でもMRAMはいつまでも次世代メモリのまま
6 2025/09/08(月) 15:54:11.22 ID:EJV3B3qv(1)
もう既に使われてるけどな
7 2025/09/09(火) 20:16:35.09 ID:xh6O8+j5(1)
電池をデカく出来ないスマートウォッチに使われ始めてるな
小型製品からってのはなんか珍しい感じがするが売りの省電力性能の証明ではあるか
まぁ情弱日本企業はこれに本気の投資してメーカーとして工場経営しようって企業がないから
普通に海外メーカーが生産してんだけどな
設備投資に金出さなかった日本企業が悪いだけなのに主流製品になってきたら
ネトウヨがパクられただの盗まれただの発狂しだすやつだな
8 2025/09/12(金) 11:26:04.44 ID:WNIeMEwf(1)
>>5
今度Googleで採用されるとか聞いたが
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