[過去ﾛｸﾞ] 技術的特異点/シンギュラリティ201【AGI・脳】 (1002ﾚｽ)
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34: 2021/05/10(月) 00:23:28 ID:tL6i+4U3(1/4)調 AAS
>>33
実験結果を図2にまとめます
? ry つの後続フェーズ（ ry ）で異なる速度で定期的に発火す ry ました
ペースメーカーニュ AN preは、実験の4つの連続発生的各フェーズに亘っての異なるレートでの定期的発火をするように設定され た（つまり、それぞれ20、20、20、40秒続く10、25、10、4 Hz）。
? ry に、補足 ry 沿ってAB synで極 ry 。
このプロトコルは、図2aに示すようにそして且つ補足表1の可塑性規則に従って、パターン 'none / LTP / none / LTD'に沿った ABsyn に於ての極性変化を引き起こすように設計され た。
パッチクランプピペットによって記録されたBNスパイクは、図2bに示され ます（閾値以下の プス後電位の振幅については、補足図4を参照 ）>33
? ｰスメーカーニュ の高レート25 Hz放電中にBNでトリガーされたスパ により、 AB シン増強が確認され た。
BN に於てスパ がトリガされたのは、 ABsyn 増強が慢性化されるペースメーカーニューロン 25 Hz 高レート放電、の最中です
? ry して、BN ry 動は10 Hzのシナプ ry 数で後続のフェ 中に持続し、したがっ ry は見られ ry 。
LTP誘導 ( ? 訳注 : ペースメーカ ANpre が齎して LTP フェーズ内 MR1/ABsyn 遷移 図 2 ) と一致して BNスパイク活動性が、 10 Hz シナプス前周波数な後続フェーズ に亘って堅持され、したがって可塑性極性の変化は見受けられませんでした >33
? その後、 ｰスメーカーを低 ry に設定すると ry にディポテンシエーションが発生し、最終的にAB synの LTDが発 ry 。
その直後の ｰスメーカー設定を低周波数（4 Hz）にすると、最初に脱増強が、最終的に LTDが、 ABsyn に於て発生し た。
? ry 抗MR1は、実 ry な段階で図 ry。
AB synメモリスタの抵抗、 MR1 、は、実験のさまざまなフェーズを貫いて図2にプロットされ ます >33
? ry の進化は、LTP ｰズ中のシナプター重量の増 ry 、「なし」 ｰズ中の維持、および減弱（ベｰ ry ）およびその後のうつ病（開始時以下）を示します。ベースライン）LTD フェーズ中。
実験中のMR1抵抗の進展は、LTPフェーズに亘ってのシナプタ荷重増強（すなわち、抵抗の増加）、それを「なし」フェ に亘って維持しそして、脱増強（ベースラインへの抵抗の戻り）とその直後の抑圧（開始時ベースライン未満）とを LTD フェ に亘って示 す。
35(2): 2021/05/10(月) 00:25:12 ID:tL6i+4U3(2/4)調 AAS
図3 外部ﾘﾝｸ:nature.com 画像ﾘﾝｸ
地理的に分散した回路：リターンパスウェイ
? ry ）で可 極性を示す影のある領域でのBN ry 。
（ a ） AB syn （破線より上）およびBA syn （破線より下）の、可塑性極性示すシャドー領域 ( 訳注 : 複製された領域 ? 図に色付 ( LTP ⇔ LTD ) された領域 ? ) を伴った BN発火率
? ry ）スパ 後の頻度
（ b ） ANpost スパイク頻度。
? ﾟイクアクティ ィの増加（変動の割合として ry ）が、BN発火と一致する実行の途中で観 その後ベｰ ry 。
BN 発火との一致を伴ったスパイクアクティビティ増加（変動のパーセンテージとして表される）が、実行の中程で観察され、その後にベースラインへ戻ります
? ry BA シン重量の進化。
（ c ） BAsyn 荷重の進展。
? ry AN ポストの ry 、2つのニュ のBN励起および同期中に一時的に「 ry ）に戻る強い抑うつ傾向 ry を引 ry 。
「なし」（黒）に一時的にだけ戻す為の強い抑圧傾向（青）を BNおよびANpost の低レートスパイクは、 BN 興奮状態であり且つニューロンそれら 2 個同期化状態であるというその最中に引き起こし た。
すべてのパネルに共通のX軸。
フルサイズの画像 画像ﾘﾝｸ
37(1): 2021/05/10(月) 00:26:57 ID:tL6i+4U3(3/4)調 AAS
>>35
? BNがBA synを介して ﾟス後のタｰ ry AN ポストに接続された、回路の生物学的から人工的な分岐の戻りの結果を図3に示 す。
この回路の biological-to-artificial ブランチ -- BAsyn を BN が介してその プス後ターゲットたるシリコンニュ ANpost に接続されている -- の返り値の各結果は図 3 に示されます
? ry 調を促進するために、AN ポスト （つ ry する人工ニューロンオンチップ）の（ ry ）環境は、安 ry 設定されましたAN ポ 内での自然発火。
重要なことは、 BA synでの可塑性変調促進実行の為に、ANpost の（人工） スパイクニューラルネッ （SNN）の環境 ( つまり、ANpost が接続するオンチップ人工ニュ 群 ) が、 ANpost 内部自発発火に付いての安定したバックグラウンドレートを誘導するように設定された事 。
? ry LTD ｰズの両方で、自 動後の安定したANが見 ry 。
BA synの LTD の両フェーズに亘って、安定した ANpost 自発活動 ( 原文 : spontaneous activity ) が見られます（図3b >35
? AB 合成増 ry は、実行の「 ry ｰズで追加のAN ポストアクティビティをトリガーし、BNとAN ポ が同期します（
ABsyn 増強によって誘発されるBN発火は然して、追加的 ANpost 活動を実験の「可塑性なし」フェーズに亘ってトリガし、それに伴って BNとANpost とが同期して行きます（図3b >35
38: 2021/05/10(月) 00:29:00 ID:tL6i+4U3(4/4)調 AAS
>>35-37
? ry as the low-rate spontaneous activities of BN and AN post hampered LTP induction at BA syn .
? MR2メモリスタの重量の進化（ ry は、 BA synでのBNおよびANの低レｰ の自 動がLTP誘導を妨げたため、優性のうつ傾 ry
MR2メ タ荷重の進展（図3c ）は、両 BN / ANpost 低レート自発活動が、 BAsyn に於ての LTP 誘導を妨げる、という優性抑圧傾向によって特徴付けられます >35
MR2メ タ荷重の進展（図3c ）は、 BA synでの妨げられる LTP 誘導、である所の両 BN / ANpost 低レート自発活動、としての優性抑圧傾向によって特徴付けられます。 ?
MR2メ タ荷重の進展（図3c ）は、 LTP 誘導を BAsyn に於て両 BN / ANpost 低レート自発活動が妨げるという優性抑圧傾向、によって特徴付けられます。 ?
? 持続的なBN発火の短い時期にのみ可塑性の極 ry 変化し（ ry ）、2つのニュ の ﾟイクトリガーと同期につながる高 ry 的な合計が優先されます
BN 発火しているその持続中たる短期間各々、のみに亘って可塑性極性が変化（図3cの黒いデータポイント >>35
）し、従って、各スパイクをトリガする事へとそしてここでのニューロン 2 つを同期する事へと誘導している高周波BA syn入力群の時間的合計 ( 値 ) が優先されています ( ? 訳注 : 優性抑圧傾向 )
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