[過去ﾛｸﾞ] 【正規スレ】【PS5】性能増強中少し待て SIE次世代機予想スレ【携帯機&PSVR2】 59世代目 (1002ﾚｽ)
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20(1): (ｱｰｸｾｰ Sx07-f2gx) 2020/02/25(火)21:56 ID:FIGHZmp7x(12/16) AAS
ソニーのヒートシンクは1つはこれ
これなら2Ghもいける？
サンドイッチのヒートシンク
まあ現実に使えるかわからんけど
www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-18-216627/63D32F0F1706DE4B8EF3661025D782936E296767BA6415A0CAAFDF8439598600/19/ja
www.j-platpat.inpit.go.jp/gazette_work/domestic/A1/20180216000/20180216600/20180216620/20180216627/63D32F0F1706DE4B8EF3661025D782936E296767BA6415A0CAAFDF8439598600/text/JPA1018216627_i_000002.jpg
【００３１】
上述したように、集積回路装置５は、複数のＩＣチップ（シリコンダイ）を１つのパッケージ内に封止したＳｉｐでもよい。
図７は、そのような集積回路装置５が実装される回路基板１０の例を示す平面図である。この図において領域Ｄは、
集積回路装置５が配置される領域を示している。領域Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３は、それぞれ集積回路装置５が有している複数のＩＣチップの位置を示している。
回路基板１０には、集積回路装置５とヒートシンク２１とを接続する熱伝達路１１１Ａ、１１１Ｂが形成されている。熱伝達路１１１Ａ、１１１Ｂの位置は、
集積回路装置５が有しているＩＣチップの位置に対応している。
すなわち、熱伝達路１１１Ａ、１１１Ｂは領域Ｄ１、Ｄ２にそれぞれ位置している。こうすることによって、集積回路装置５が有するＩＣチップを効果的に冷却できる。
熱伝導路１１１Ａ、１１１Ｂの形状は同じで無くてもよい。熱伝導路１１１Ａ、１１１Ｂの形状は、各ＩＣチップの位置や、回路基板１０に形成される回路パターン１５に合わせて適宜変更されてよい。
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