[過去ﾛｸﾞ] 【GCAP】F-Xを語るスレ331【日英伊共同開発】 (1002ﾚｽ)
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138(1): 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 11:02:11.70 ID:TjUCVpnW(1/4) AAS
>>137
日本はフリゲートのレーダーやミサイルのシーカーにもGaNのAESAを積んでるのに
何を持って制御技術が無いと言ってるんだ？
152: 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 12:54:57.89 ID:TjUCVpnW(2/4) AAS
>>150
GaN適用だけでとか言ってるけど、それすらイギリスは自国のタイフーンや26型フリゲートに未実装じゃんw
日本はミサイルやフリゲートにもGaNのAESAをとっくに実装済みで
今はデジタルアレイ化したAESAとDBFを開発中
167: 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 15:48:07.53 ID:TjUCVpnW(3/4) AAS
>>163
レーダー波も赤外線も電磁波の一種考えると、波長が短い赤外線なんて
大気によってすぐに拡散減衰する
なんか赤外線センサーがレーダーに変わるとか夢見てるようだが
これは物理法則だから技術でもどうにもできんよ
だからといって日本が赤外線センサーを無視してるわけじゃなく
2波長のT2SLセンサーを開発して、実際にパイロットにテストさせてる
https://www.mod.go.jp/atla/research/ats2022/pdf/prog_rnd_08.pdf
そもそもGCAPは統合センサーになるから、あらゆるセンサーからの情報を統合して
それをAIが取捨選択して、パイロットに伝えるんだよ
このセンサーがあれば他は要らないって訳じゃ無い
172(1): 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 16:17:19.55 ID:TjUCVpnW(4/4) AAS
そもそもパワー半導体はGaNが一番優れる訳じゃないからな
Ga2O3はバリガ性能指数がGaNの4倍、加えてGaNより量産化し易いってメリットもある
https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2507/01/news101.html
研究開発段階ではあるが、FLOSFIAがGa2O3でノーマリーオフ特性を持った
パワー半導体を作る事に世界で初めて成功したな
2026年度以降に本格量産開始を計画しているらしい
>なお今回の研究成果は、防衛装備庁「安全保障技術研究推進制度」の支援を受けて得られたものとしている。
防衛装備庁が支援してるのが興味深い
これを使ったレーダーが開発されるのも時間の問題だろうな
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