[過去ログ] 【GCAP】F-Xを語るスレ331【日英伊共同開発】 (1002レス)
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140(1): 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 11:11:32.78 ID:FK+utWJV(1/10) AAS
もうすでに開発中。次世代中距離空対空誘導弾。
今年度の予算名目は性能確認試験となっております。
つまり発射できる実物はすでに出来てる。
141: 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 11:16:21.12 ID:FK+utWJV(2/10) AAS
開発途上レポートでマルチセグメント方式をテストして従来比1.6倍射程まで確認してるんで
直巻マルチセグメント方式採用は間違いないだろう。
あとJNAAM共同開発でミーティアをつぶさに検証してるし、インドで鹵獲されたPL-15の
解析も行ってるので、少なくとも両者を上回る性能にはなるだろう。
157: 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 15:01:00.52 ID:FK+utWJV(3/10) AAS
なんでGaN使うのか。高圧耐性が高いから。従来素子だと遠くまで探知したいから
大電力ぶち込もうぜをやると発熱が凄くて電子回路も素子ももたなかったのが、
GaNだと耐えられるようになって遠くまでレーダー波飛ばしても平気になった
というだけの話w
従来方式でも熱発散や温度管理のできる大型システムなら遠くまで電波飛ばせた。
だが小型軽量化は無理だった。それができるようになったという話。
158: 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 15:03:55.09 ID:FK+utWJV(4/10) AAS
イージスに使う場合でも耐圧が高くなった分、素子を増やすことができ、その分
より高出力化し、探知距離が延びるという利点があり、GaNは標準化されつつある。
159: 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 15:08:27.14 ID:FK+utWJV(5/10) AAS
まーなんだね。GaN使わないレーダーは高電力をぶちこめないから
探知距離はどうしても短くなるわな。この差は大きいぞw
162: 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 15:19:58.91 ID:FK+utWJV(6/10) AAS
逆に言うとせっかくGaNレーダーを用意できてもそれを十分に
効かせられるだけの電力がないと探知距離は伸びない。
これからの航空機に発電能力が重要といわれるのはこういう理由もある。
特にレーダーは電力食いだからな。
164: 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 15:27:28.57 ID:FK+utWJV(7/10) AAS
エンジンと同じ話。一番手っ取り早いのがTITを上げることだ。
TIT上げるには熱耐性の高い素材が要る。
レーダーの場合は高電力で発信すること。
そのためには耐圧の高いGaNを使うのが手っ取り早く効果も高い。
それだけの話。
GaN使わない努力勢はやっても効率の低い低レベルで頑張るしかないなw
165: 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 15:31:04.17 ID:FK+utWJV(8/10) AAS
ぶどうは酸っぱいですかw
パッシブより高出力で探るAESAのがどうみても強い。探知距離が段違いだからな。
F-35はもう色々限界で手一杯なんでセールスポイントずらして利点強調してるのが
丸わかりでちょっと寂しいですなw
168: 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 15:50:13.63 ID:FK+utWJV(9/10) AAS
GaN量産化は欧米のがリードしてるという事実はある。
米帝の場合はテキサスインストルメンツともう一社がやってて
世界シェアの4割くらい占めてたと思う。
別に日本の専売特許というわけではない。
ただ日本はGaN素子を自主開発して販売し、売り込んでる企業の
数がかなり多い。もはや業界標準、電力用素子ならうちの製品を
とGaNが出でくるのはあたり前になってる。
171: 名無し三等兵 [sage] 2025/08/09(土) 16:10:56.87 ID:FK+utWJV(10/10) AAS
日本がよそに先んじてGaNの軍事利用が進んでるのは
素子の開発当初から参加してる企業がこんなの出来そうです。
使えそうですと防衛省への根回ししてたのも大きい。
まあ素子特性考えたら真っ先に思い浮かぶのは軍事利用だわな。
2010年ちょい手前あたりに量産化にめどが立って
即F-2のJ/APG-2への採用が決まり、一斉に改装されたのは
開発企業のスタートダッシュが効いてたという話。
その後は電力用素子としての新製品になって広がっていった。
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