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56(1): 2010/04/16(金)10:06 ID:PtvVcIe+(2/2) AAS
「Fe-NANDフラッシュメモリ」ってなんだ？
外部ﾘﾝｸ:column.onbiz.yahoo.co.jp
USBメモリやSSDがさらに大容量で高性能に！
遂に登場した「新型フラッシュメモリ」。
サーバルームからHDDが消える日も近いかも？
58: 2010/04/16(金)11:17 ID:hOlOx5XD(2/2) AAS
>>56
フローティングゲートに電子を閉じ込める従来型の場合,
構造が微細化していくと,同じ運動量を持った電子の場合には,
ゲートの物理障壁に阻まれる…ぶつかる回数が増えることで,
物理障壁の均質で無い部分に当たる確率も高まる.
トンネル効果が生じる条件が高くなって,電子が逃げだし易くなる.
これを解決するのに,電子の閉じ込めではなくって,
分子の双極子モーメントを使っているのが記事の方法.
電場を掛けると分子の双極子モーメントが電場に整列する.
しかも複数の分子を束ねて置くとお互いのモーメントで
一定の向きに安定し易くなる.欠点は高い熱で乱されること.
昔の磁気コアメモリや磁気バブルメモリに近いもの…
読み出しアクセスでもジュール熱が発生するのに,
高集積化した場合にはどうなるだろう？
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