技術的特異点/シンギュラリティ204【技術・AI】 (255レス)
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255: 07/18(金)15:36 ID:JTajvaON(1) AAS
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ラピダスが2ナノ半導体の試作に成功−トップらが迅速な成果強調
7/18(金) 14:34配信
(ブルームバーグ): 次世代半導体の量産を目指すラピダスは18日、北海道千歳市で2ナノメートル(ナノは10億分の1)半導体の試作に成功したと発表した。世界的にも注目される
この技術開発はラピダスにとって大きな一歩だが、2027年の量産に向けては依然として課題も残る。
技術的に難易度の高い試作を成功させた背景には、極端紫外線(EUV)露光装置の迅速な導入があった。小池淳義社長は記者会見で、昨年末の装置搬入から「わずか3カ月で
EUVの露光が成功したのは世界に例がない」と振り返った。
小池社長によると、次世代の半導体プロセスを支える重要技術であるGAA(ゲートオールアラウンド)トランジスタの試作を行ってから、動作確認されたのは7月10日のことだった。
今年度中にはチップ設計に必要なプロセス・デザイン・キット(PDK)を顧客に提供し、顧客が自社製品の設計を始めるための環境を整える。
一方で懸念も拭い切れない。試作品には未だ改良の余地が残り、トランジスタ性能や歩留まりの向上が必要になる。加えて、最先端の2ナノ半導体を巡っては、
台湾積体電路製造(TSMC)や韓国サムスン電子といった競合が量産に向けて準備を進める。先行するTSMCでさえ、量産開始が当初計画の25年後半から26年にずれ込む可能性が報じられる。
22年に設立されたラピダスは、27年に最先端の2ナノ半導体の量産を目指している。政府は経済安全保障の観点から国内での半導体生産体制強化が必要だとして、
出資を含め累計1兆8000億円超の支援を表明した。巨額の国費投入に対する批判も聞かれる中、迅速かつ確実な成果を上げることが同社に求められている。
きょうの会見で東哲郎会長は、「単に10数年遅れた日本が最先端の技術に挑戦しているだけでなく、世界でもまれに見る異例のスピードでここまできていることに世界が非常に驚いている」
として、工場の建設を担った鹿島や装置・材料メーカーなど関係者への感謝を述べた。
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