【電気磁気学】東北大学、SOT-MRAMセルの動作実証に成功［19/12/12］ (5ﾚｽ)
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1: こたつねこ◆AtPO2jsfUI 19/12/12(木)16:30 ID:nl8(1) AAS
東北大学、SOT-MRAMセルの動作実証に成功
■熱処理耐性、高速動作、熱安定性が大きく前進
東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター（CIES）の遠藤哲郎センター長と同電気通信研究所の
大野英男教授（現総長）らの研究グループは2019年12月、400℃の熱処理耐性と無磁場で350ピコ秒の高速動作、
10年間データ保持を可能とする熱安定性を実現したスピン軌道トルク（SOT）型磁気トンネル素子の作製に
成功したと発表。開発した素子を用いたメモリ（SOT-MRAM）セルが動作することも確認した。
（中略）
もう1つがSOTを用いたMRAMである。MTJの下部に設けたチャネル層に電流を流し、チャネル層に隣接する
強磁性体のみ磁石方向を反転させる方式。書き込み速度が速く、SRAMを代替する技術として注目されている。
この技術を実用レベルにもっていくには、量産ラインなどで求められる熱処理耐性や熱安定性、メモリセル
省12
2: 19/12/12(木)19:41 ID:f6b(1) AAS
これは・・・・・
北アフリカの戦場でパスタ茹でながらネットできますね〜
3: 19/12/13(金)00:04 ID:K9f(1) AAS
MRAMは記憶密度が低いっていうイメージがどうしても先行してしまう。
4(1): 19/12/14(土)09:35 ID:5V6(1/2) AAS
高温でも電子の流れが阻害されない、ということ？
何がどうなってそうなってるか良くわからんですなぁ。
5: 19/12/14(土)10:51 ID:5V6(2/2) AAS
>>4
今さらながら半導体について調べなおすと、
かなり頓珍漢なレスしてる模様・・・
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