AVデータストレージ (73ﾚｽ)
上下前次1-新
1: 2015/04/18(土)23:00 ID:fhZDTZ2w(1/3) AAS
コンパクトアーカイバー LB-SC90U0J
外部ﾘﾝｸ:panasonic.biz
外部ﾘﾝｸ[pdf]:panasonic.biz
外部ﾘﾝｸ[html]:news.panasonic.com
2: 2015/04/18(土)23:04 ID:fhZDTZ2w(2/3) AAS
世界最大容量1巻あたり220TB（*1） 磁気テープの高容量化技術を開発！
外部ﾘﾝｸ[html]:www.fujifilm.co.jp
画像ﾘﾝｸ[jpg]:www.fujifilm.co.jp
3: 2015/04/18(土)23:08 ID:fhZDTZ2w(3/3) AAS
ソニーとパナソニックが業務用次世代光ディスク規格の共同開発で基本合意
外部ﾘﾝｸ:www.sony.co.jp
業務用次世代光ディスク規格Archival Disc（アーカイバル・ディスク）を策定
外部ﾘﾝｸ:www.sony.co.jp
外部ﾘﾝｸ[html]:news.panasonic.com
4: 2015/04/19(日)04:24 ID:KPhYzieK(1/2) AAS
画像ﾘﾝｸ[jpg]:i.imgur.com
5: 2015/04/19(日)04:25 ID:KPhYzieK(2/2) AAS
画像ﾘﾝｸ[jpg]:i.imgur.com
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6: 2015/04/29(水)15:22 ID:a7N09G64(1) AAS
パナソニックのブルーレイディスク製造拠点津山工場を見る
外部ﾘﾝｸ[html]:av.watch.impress.co.jp
画像ﾘﾝｸ[jpg]:av.watch.impress.co.jp
7: 2015/06/04(木)17:41 ID:jWcdST/j(1) AAS
DP2M
画像ﾘﾝｸ[jpg]:sokuup.net
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画像ﾘﾝｸ[jpg]:sokuup.net
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8: 2015/09/16(水)06:33 ID:MbIAF3aA(1) AAS
4Kテレビとデジタルカメラの相性
外部ﾘﾝｸ[html]:www.itmedia.co.jp
外部ﾘﾝｸ[html]:www.itmedia.co.jp
約800万画素 4Kテレビに、
3000万画素超のデジカメ画像を映し出して意味があるの？
と思う人が多いようだ。
そのあたりをじっくり解説していこう。
9: 2015/11/18(水)14:59 ID:VjhdO8RY(1) AAS
NAND ナンド
画像ﾘﾝｸ[jpg]:pc.watch.impress.co.jp
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10: 2015/11/21(土)16:34 ID:52D2rUVz(1) AAS
メモリ技術の革新がコンピュータアーキテクチャの変革も導く
外部ﾘﾝｸ[html]:pc.watch.impress.co.jp
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11: 2015/11/26(木)15:15 ID:A2qpIaaq(1) AAS
TSVによる1チップ256GBのNAND
データレート1Gbps以上
外部ﾘﾝｸ[html]:pc.watch.impress.co.jp
12: 2015/11/29(日)15:25 ID:f9dWaQDq(1) AAS
新不揮発性メモリとDRAMが混在するメモリ上で、ランゲージランタイムによってホットなデータを管理するメソッドを提案している。
外部ﾘﾝｸ[html]:pc.watch.impress.co.jp
13: 2015/11/30(月)01:07 ID:lPTJrxQ9(1) AAS
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DDR系の汎用メモリモジュール向けのDRAMが行き詰まり、スタックドDRAMが広帯域DRAMとして台頭。
そして、(うまく行けば)新不揮発性メモリが、ワーキングメモリの領域に進出する。
ここに見えるのは、DRAMの分化・多様化と新メモリの台頭、そしてメモリ階層構造の根本変化だ。
こうした変化が起きると、長年に渡って保たれて来たメモリ階層が崩れ、コンピュータシステムの作り方が変わり始める。
具体的には、帯域が必要な頻繁に使用するホットなデータはHBMなど近いDRAMの上に置き、
それほど頻繁には使わないコールドなデータはDDRのような遠くて容量の大きなDRAMに置く。
こうした制御を行なうためには、ソフトウェア側にインテリジェントなメモリ管理が必要となる。
DRAMの一部が不揮発性メモリへと置き換わって行く場合も、この問題の解決が重要となる。
筑波大学の発表
省7
14: 2015/12/02(水)17:15 ID:uxhmJ7i+(1/2) AAS
SanDisk、書込みレイテンシ15μsと高速のフラッシュストレージを出荷へ
外部ﾘﾝｸ[html]:www.semiconportal.com
15: 2015/12/02(水)17:17 ID:uxhmJ7i+(2/2) AAS
48層積み256Gビット
外部ﾘﾝｸ[html]:www.semiconportal.com
外部ﾘﾝｸ:jp.reuters.com
16: 2015/12/13(日)14:04 ID:VtIZ2n/U(1) AAS
画像ﾘﾝｸ[JPG]:www.pcper.com
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3DNANDがすごすぎる
17: 2015/12/26(土)12:09 ID:AzdZReou(1/4) AAS
外部ﾘﾝｸ[html]:pc.watch.impress.co.jp
256GbitのNANDフラッシュになると、SSDの記憶容量では4倍、すなわち640GBになる。
近い将来に640GB以下の領域はほぼすべて、SSDが占める可能性が高い。
そしてNANDフラッシュのシングルダイが1Tbitになると、さらにその4倍なので、2,560GBになる。すなわち2.5TBだ。
近い将来に、記憶容量が2.5TB以下のストレージは全て、フラッシュストレージになる。
NANDフラッシュメモリの市場は拡大し、DRAMとHDDの市場は近い将来に多分、縮小する。
画像ﾘﾝｸ[jpg]:pc.watch.impress.co.jp
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18: 2015/12/26(土)12:09 ID:AzdZReou(2/4) AAS
3DNANDがすごすぎる
画像ﾘﾝｸ[JPG]:www.pcper.com
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外部ﾘﾝｸ[html]:pc.watch.impress.co.jp
256GbitのNANDフラッシュになると、SSDの記憶容量では4倍、すなわち640GBになる。
近い将来に640GB以下の領域はほぼすべて、SSDが占める可能性が高い。
そしてNANDフラッシュのシングルダイが1Tbitになると、さらにその4倍なので、2,560GBになる。すなわち2.5TBだ。
近い将来に、記憶容量が2.5TB以下のストレージは全て、フラッシュストレージになる。
NANDフラッシュメモリの市場は拡大し、DRAMとHDDの市場は近い将来に多分、縮小する。
省2
19: 2015/12/26(土)17:54 ID:AzdZReou(3/4) AAS
3D NAND技術では、設計ルール(最小加工寸法)がプレーナ技術の最先端NANDフラッシュに比べると、
2.5倍〜3倍は長い。したがって隣接メモリセル間の干渉が少ない。この点で見ると、プレーナ技術よりも多値化向きなのである。
20: 2015/12/26(土)18:00 ID:AzdZReou(4/4) AAS
TLCを買うなら3DNAND
3D NAND技術では、設計ルール(最小加工寸法)がプレーナ技術の最先端NANDフラッシュに比べると、2.5倍〜3倍は長い。
したがって隣接メモリセル間の干渉が少ない。この点で見ると、プレーナ技術よりも多値化向きなのである。
外部ﾘﾝｸ[html]:pc.watch.impress.co.jp
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