[過去ﾛｸﾞ] 【Flash】SSD Part167【SLC/MLC/TLC】 (1001ﾚｽ)
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24: 2014/07/09(水)10:52 ID:hKnGkVKi(1) AAS
サムスン、V-NAND採用モデルを含む新世代SSDを発表、データセンター向けSSDも刷新
外部ﾘﾝｸ:it.impressbm.co.jp
一方、エンタープライズ／データセンター向けのSamsung SSD 845 DC EVOは、
正式に発表されたのは2014年6月だが、今回のイベントで、850Proと共に詳細な説明が行われた。
845 DC EVOでは容量としては240GB/480GB/960GBの3タイプが用意される。
採用されたフラッシュデバイスはV-NANDではなく、従来のNANDフラッシュで、
1セルに充電した電圧を8段階で区別し、3ビットを記録するTLC（Triple Level Cell）となる。
データセンターでの利用を想定した設計であり、コンシューマー向け製品よりも耐久性能や保証データ転送量などが向上／拡大している。
サムスン電子によれば、データセンターなど、サーバーとして使われる外部記憶装置には、
読み出しが中心になる利用（Read-Intensive）と、読み書きが均等になる利用という大きく2つのパターンがあり、
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