[過去ﾛｸﾞ] 【Flash】SSD Part166【SLC/MLC/TLC】 (1001ﾚｽ)
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843(1): 2014/08/08(金)00:43 ID:Ngfgv1u0(1/5) AAS
850 PRO(MLC V-NAND)はプレミアモデル
850 EVO？(TLC V-NAND)が普及体モデルとして、コンシューマSSDは全て3D NANDを投入するのかな
他社15〜6nm世代のMLC NAND部分へ、TLC V-NANDを投入できる可能性もある(素の速度も速く省電力)のと
TLC V-NANDは他社のTLC NANDと比較しても、競争力を持つ事が出来るのは、大きなアドバンテージだな
TLCの投入を急いだのはそういう理由があったと
＞3D NANDでは3-bit(TLC)化しても、2D NANDよりもエラーレートを
＞抑えることができるので、より信頼性の高い3-bit(TLC)製品を作ることができた
＞1T-bit(128GB)/ダイの3〜4年内の実現も現実味を帯びてきた。
＞ワンチップで128GBと、SSD並の容量を実現するモンスターチップだ
＞Samsungはコストプレミアがあっても先に量産して市場に出し、成熟させて、
＞早く2D NANDに対してコスト競争力を持てるところまで持って行こうとしている。
＞256G-bit世代になると、2D NANDに対して3D NANDがコスト的に匹敵する可能性が出てきた。
＞3D NANDは2D NANDよりも3-bit(TLC)化はしやすい。
＞電荷が増えることで、各ビット間のばらつきのオーバーラップが減り、エラーが減少する
＞3-bit(TLC) V-NANDは、32セルの積層で、同じ3-bit(TLC)で従来の2D NANDの
＞1x nm版に対して約2倍のセル密度になるという。そのため、製造コスト的には、
＞15nm以下の2D NANDに対して競争力を持つものになるという。
＞3-bit(TLC)で比較すると、1x nmの2D NANDに対して、V-NANDはtPROG(プログラム時間=書き込み時間)は
＞50%少なくなる。つまり、書き込みが劇的に速くなる。動作時の電力は40%ほど減る。
外部ﾘﾝｸ[html]:pc.watch.impress.co.jp
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